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高品質SiC結晶次世代成長法に関する研究会

名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻 教授  宇治原 徹 氏

(1) 現在、高品質化技術、高速成長技術、大口径化技術は未だ個別の技術であり、これらの融合が課題の一つである。本研究会では技術融合の技術的要件を洗い出す。 (2) SiCデバイス化の必須技術(加工・エピ成長・デバイス化・評価)の第一人者を結集し、高品質基板に寄って得られる優位性及び高性能デバイス実現のためにスペックを詳細に検討する。 (3) 以上の2点を実現するための、垂直連携型の産学連携協力体制の構築を行う。  



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