窒化物半導体に関する研究会 - 公益財団法人 科学技術交流財団
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窒化物半導体に関する研究会

名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター 教授  江川 孝志 氏

窒化物半導体はLEDとして実用化されているが、課題としてLEDの高効率化やエネルギーの有効利用、地球温暖化対策のための省エネ化があり、大きな効果が得られるGaN/Si系半導体などの開発が期待されている。研究会では学界、産業界、行政からなるメンバーにより、具体的な製品の実用化に関する課題解決の方策を議論し、共同研究となり得るテーマを育てるとともに、研究活動のための競争的資金への応募を検討する。また、参加メンバー間の交流を深め、研究共同体としてのヒューマンネットワーク構築を行う。

第3回 研究会

日時平成26年2月7日(金)  15:00~18:30
場所名古屋工業大学 22号館プレゼンテーションムールA,B
プログラム 1.「水およびオゾンを用いたALDにより作製したMIS構造の電気特性に対するオゾンの効果」15:00~15:40
名古屋工業大学、久保俊晴
2.「Normally-Off Al2O3/AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistor
on 8-inch Si with Low Leakage Current and High Breakdown Voltage」15:40~16:20
名古屋工業大学、Joseph J. Freedsman
3.「Sin波入力下におけるAlGaN/GaN HEMTの周波数分散特性」16:20~17:00
名古屋工業大学、分島彰男
交流会:大学会館1階(名古屋工業大学生協)

第2回 研究会

日時平成25年12月19日(木)  13:30~18:30
場所「知の拠点あいち」あいち産業科学技術総合センター
プログラム 1.挨拶 5分
2.ハイブリッド自動車とパワーデバイス -現状と将来- 40分(質疑込)
  (株)豊田中央研究所 電子デバイス部 部長 石子 雅康
3.Ga2O3結晶とLEDやパワーデバイスへの応用 40分(質疑込)
  (株)タムラ製作所 コアテクノロジー本部 シニアスペシャリスト 倉又 朗人
(休憩 10分)
4.Si基板上のGaN結晶成長技術およびLED開発 40分(質疑込)
 (株)東芝 研究開発センター電子デバイスラボラトリー  布上 真也
5.シンクロトロン光によるGaN素子用材料の評価 40分(質疑込)
  あいちシンクロトロン光センター、SPring-8/JASRI  古宮 聰
6.まとめ 10分
7.あいちシンクロトロン光利用施設見学(希望者) 30分程度

交流会(事前申込) 
17:30-18:30 於あいち産業科学技術総合センター 休憩室

第1回 研究会

日時平成25年7月26日(金)  15:00~19:30
場所名古屋工業大学 22号館一階プレゼンテーションルーム
プログラム Ⅰ.研究会 15:00-17:00
・財団挨拶 科学技術交流財団 業務部長 出口 和光
・ミーティング 
(1)「センターの進捗状況」             10分
  名古屋工業大学 江川 孝志氏      
(2)「ALD法を用いた絶縁型AlGaN/GaN HEMT」     30分 
名古屋工業大学 久保 俊晴氏            
(3)「GaN/AlGaN高選択ドライエッチング技術の開発」 30分
㈱アルバック 半導体電子技術研究所 上村 隆一郎氏 
(4)「次世代パワーデバイス技術研究組合における
GaNパワーデバイス開発」            30分
次世代パワーデバイス技術研究組合 野村剛彦                     
・総合討論 

Ⅱ.情報交換会(会費3000円) 17:10-19:30