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各種SiC結晶成長法における高品質化とその応用

名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻 教授  宇治原 徹 氏

SiC結晶は、低損失パワーデバイス用材料として大きなニーズの高まりがあり、その製法は急速に進歩してきた。一方で益々低欠陥化などの高品質化や低コスト化が求められている。SiC結晶成長法として、気相から成長させる代表的製法である昇華法や、近年急速に進歩した液相からの溶液法そして薄膜用のCVD法などがある。本研究会ではこれらSiCに関する各種結晶成長法に関し、横断的に高品質化や低コスト化の研究と共に各成長法に最適な応用分野に関する研究を行う。

第5回 研究会

日時平成29年2月28日(火)  15:00~18:00
場所名古屋大学 ナショナルイノベーションコンプレックス(NIC)3階 大会議室
プログラム ◇座長挨拶:  座長 名古屋大学 未来材料・システム研究所 
                 未来エレクトロニクス集積研究センター 教授 宇治原 徹 氏

◇講演1:「画像処理の産業応用 -産学連携事例の紹介-」
       中京大学 工学部 機械システム工学科 教授 青木 公也 氏

◇講演2:「「SiC工業化に向けたレーザーテックのソリューション」
       レーザーテック株式会社 第1ソリューションセールス部 藤木 翔太 氏

◇話題提供:「研削研磨ダメージ検査のための
                シンクロトロン光を用いた二次元結晶性マッピング測定」
       名古屋大学 未来材料・システム研究所 
                 未来エレクトロニクス集積研究センター 研究員 花田 賢志 氏
◇総合討論:  座長

第4回 研究会

日時平成28年12月20日(火)  13:00~16:00
場所名古屋大学 工学部5号館 2階 材料会議室
プログラム ◇座長挨拶:  座長 名古屋大学 未来材料・システム研究所 
                 未来エレクトロニクス集積研究センター 教授 宇治原 徹 氏

◇講演1:「SiCの鏡面加工技術」
       埼玉大学大学院 理工学研究科 教授 池野 順一 氏

◇講演2:「SiCウエハの加工技術の開発動向と課題」
       国立研究開発法人産業技術総合研究所 エネルギー・環境領域
         先進パワーエレクトロニクス研究センター  ウェハプロセスチム
                                       チーム長 加藤 智久 氏

◇総合討論、今後の進め方等: 座長

第3回 研究会

日時平成27年12月11日(金)  10:00~14:00
場所名古屋大学 グリーンビークル材料研究施設1階CAD室
プログラム ◇座長挨拶 :
   座長  名古屋大学 未来材料・システム研究所
        未来エレクトロニクス集積研究センター  教授 宇治原 徹 氏

◇講演1:「新しい機能性単結晶材料の開発」
       物質・材料研究機構 光・電子材料ユニット 光学単結晶グループ
                      グループリーダー 島村 清史 氏

◇講演2:「Naフラックス法によるGaN結晶育成技術」
        大阪大学大学院 工学研究科 電気電子情報工学専攻 
                             教授 森 勇介 氏

◇講演3:「CZ-Si単結晶より高品質なSi多結晶の実現を目指して」
        東北大学 金属材料研究所  教授 藤原 航三 氏

◇フリーディスカッション(ランチ会費制)

第2回 研究会

日時平成27年10月27日(火)  14:00~17:00
場所名古屋大学 工学部5号館 2階230会議室
プログラム ◇座長挨拶 :
   座長  名古屋大学グリーンモビリティ連携研究センター
        大学院工学研究科   教授 宇治原 徹 氏

◇話題提供1:「SiC溶液成長にCZ-Si結晶成長の知見が役立つか?(仮)」
        信州大学 学術研究院   准教授  太子 敏則 氏

◇話題提供2:「SiC溶液成長法による高品質結晶成長実現へ向けた取り組み」
        名古屋大学 宇治原研究室 研究員  村山 健太 氏

◇総合討論、今後の進め方 等 : 座長

◇施設見学 : 大型SiC結晶育成炉

第1回 研究会

日時平成27年7月23日(木)  14:30~18:15
場所名古屋大学工学部5号館 2階230材料会議室
プログラム ◇座長挨拶 :
   座長  名古屋大学グリーンモビリティ連携研究センター
           大学院工学研究科 教授 宇治原 徹氏

◇財団挨拶:公益財団法人科学技術交流財団 業務部長 出口 和光

◇メンバー自己紹介:出席者全員

◇講演1:「ガス法によるSiC結晶成長に関して」
       株式会社 デンソー 基礎研究所 基礎研究1部
        次世代パワー材料研究室 パワー材料1課  課長 小島 淳 氏

◇講演2: 「ハイドライド気相成長法によるGaN厚膜結晶の成長」
        山口大学 大学院理工学研究科   教授  只友 一行 氏

◇総合討論、今後の進め方 等 : 座長

◇交流会  (ライトパーティー)