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窒化物半導体に関する最先端技術研究会

名古屋工業大学極微デバイス次世代材料研究センター 教授  三好 実人 氏

GaN系半導体は将来社会の基幹材料たりえるが、現状ではそのポテンシャルの一部が利用されているにすぎない。本研究会では、GaN系半導体による光・電子デバイスの最先端というだけでなく、材料の特長を活かした新アイテム・新アプリケーションにも焦点を当て、分野横断的な情報交換の場を提供することでGaN系半導体の将来展開に関する議論を活発化し、「愛知県発の省・創エネ技術の創出」を目指していく。

第1回 研究会

日時平成30年7月19日(木)  13:30~18:20
場所名古屋工業大学 窒化物マルチビジネス創生センター
プログラム テーマ 「GaN系結晶における成長および評価技術の最先端」

◇財団挨拶: 公益財団法人科学技術交流財団

◇座長挨拶: 座長 名古屋工業 極微デバイス次世代材料研究センター 
                                           教授 三好 実人氏

◇特別講演:「HVPE法によるGaN縦型パワーデバイス用エピ成長技術」
      株式会社サイオクス 事業開拓部 プロジェクトリーダー 藤倉 序章氏

◇話題提供1:「c面GaN上への高品質AlInN厚膜のMOCVD成長」
      座長 名古屋工業大学 極微デバイス次世代材料研究センター 教授 三好 実人氏

◇話題提供2:「GaN結晶中の転位の評価 -GaN on Si 結晶を中心に-」
      一般財団法人ファインセラミックスセンター 材料技術研究所 
                               機能性材料グループ長 石川 由加里氏

◇話題提供3:「GaN結晶評価技術の考察 -SiCのキャリア寿命評価を例として-」
      名古屋工業大学 大学院工学研究科 准教授 加藤 正史氏

◇総括、次会予告: 座長

◇交流会(ライトパーティー)