HOME > 事業のご案内 > 研究交流事業 > 研究会 > 窒化物半導体に関する最先端技術研究会

窒化物半導体に関する最先端技術研究会

名古屋工業大学極微デバイス次世代材料研究センター 教授  三好 実人 氏

GaN系半導体は将来社会の基幹材料たりえるが、現状ではそのポテンシャルの一部が利用されているにすぎない。本研究会では、GaN系半導体による光・電子デバイスの最先端というだけでなく、材料の特長を活かした新アイテム・新アプリケーションにも焦点を当て、分野横断的な情報交換の場を提供することでGaN系半導体の将来展開に関する議論を活発化し、「愛知県発の省・創エネ技術の創出」を目指していく。

第2回 研究会

日時平成30年10月12日(金)  13:30~18:20
場所名古屋工業大学 窒化物マルチビジネス創生センター
プログラム ◇座長挨拶: 座長 名古屋工業 極微デバイス次世代材料研究センター 
                                           教授 三好 実人氏

◇招待講演1:「量子殻デバイスの展望」
      名城大学 理工学部 材料機能工学科 教授 上山 智氏

◇話題提供1:「深紫外第二次高調波発生に向けたAlN極性反転構造
                    ~トップダウンとボトムアップによるアプローチ~」
      三重大学大学院 地域イノベーション学研究科 助教 林 侑介氏

◇招待講演2:「二次元正孔ガスを利用したGaN p-MOSFETの特性評価」
           ~分極接合基板上に作製したp型デバイスの動作機構 および
             同デバイスに対するデバイスシミュレーションを利用した界面欠陥評価~」
      東京工業大学 工学院 電気電子系 助教 星井 拓也氏

◇話題提供2:「AlGaNチャネルHFETの進展」
      名古屋工業大学 極微デバイス次世代材料研究センター 
                             教授 三好 実人氏、 M2 細見 大樹氏

◇総括、次会予告: 座長

◇交流会(ライトパーティー)

第1回 研究会

日時平成30年7月19日(木)  13:30~18:20
場所名古屋工業大学 窒化物マルチビジネス創生センター
プログラム テーマ 「GaN系結晶における成長および評価技術の最先端」

◇財団挨拶: 公益財団法人科学技術交流財団

◇座長挨拶: 座長 名古屋工業 極微デバイス次世代材料研究センター 
                                           教授 三好 実人氏

◇特別講演:「HVPE法によるGaN縦型パワーデバイス用エピ成長技術」
      株式会社サイオクス 事業開拓部 プロジェクトリーダー 藤倉 序章氏

◇話題提供1:「c面GaN上への高品質AlInN厚膜のMOCVD成長」
      座長 名古屋工業大学 極微デバイス次世代材料研究センター 教授 三好 実人氏

◇話題提供2:「GaN結晶中の転位の評価 -GaN on Si 結晶を中心に-」
      一般財団法人ファインセラミックスセンター 材料技術研究所 
                               機能性材料グループ長 石川 由加里氏

◇話題提供3:「GaN結晶評価技術の考察 -SiCのキャリア寿命評価を例として-」
      名古屋工業大学 大学院工学研究科 准教授 加藤 正史氏

◇総括、次会予告: 座長

◇交流会(ライトパーティー)