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厳環境下IoT向け3C-SiC技術研究会

名古屋工業大学 大学院工学研究科 准教授  加藤 正史 氏

厳環境下IoTデバイスの実現を目指し、非常に優れた物性を有する半導体材料3C-SiCに関する研究開発を実施する。3C-SiC結晶成長からプロセス技術、および多方面の3C-SiC応用の研究に携わるメンバーにより、IoT社会に資する3C-SiCデバイスを開発する。

第1回 研究会

日時令和元年7月5日(金)  14:00~18:30
場所科学技術交流財団研究交流センター
プログラム ◇座長挨拶・講演:「3C-SiC結晶品質 ヘテロマテリアルか、ヘテロポリタイプか?」
           座長 加藤 正史氏(名古屋工業大学 大学院工学研究科 准教授)

◇話題提供:「3C-SiCの結晶成長技術と応用」
         長澤 弘幸氏(株式会社CUSIC 代表取締役)

◇招待講演:「ヘテロエピタキシーの基礎と課題」
         佐藤 勝昭氏(東京農工大学リサーチアドバイザー、JST特任フェロー)

◇総合討議

◇次回の予定・今後の進め方:座長

◇交流会