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厳環境下IoT向け3C-SiC技術研究会

名古屋工業大学 大学院工学研究科 准教授  加藤 正史 氏

厳環境下IoTデバイスの実現を目指し、非常に優れた物性を有する半導体材料3C-SiCに関する研究開発を実施する。3C-SiC結晶成長からプロセス技術、および多方面の3C-SiC応用の研究に携わるメンバーにより、IoT社会に資する3C-SiCデバイスを開発する。

第3回 研究会

日時令和2年2月18日(火)  14:00~18:20
場所科学技術交流財団研究交流センター
プログラム ◇座長挨拶: 座長 加藤 正史氏(名古屋工業大学 大学院工学研究科 准教授)

◇外部講師による講演
  「SiC半導体デバイスの耐放射線性とその評価」
     牧野 高紘 氏(国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
               高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部 主任研究員)

◇メンバーによる講演
  「SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築」
     黒木 伸一郎氏(広島大学 ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 教授)

  「SiCのイオン注入による構造と物性の変化、およびOn-axis SiCエピ試料の欠陥構造」
      石地 耕太郎氏(九州シンクロトロン光研究センター)

◇総合討議

◇閉会挨拶: 今後の進め方

◇ライトパーティー

第2回 研究会

日時令和元年11月22日(金)  14:00~18:20
場所科学技術交流財団研究交流センター
プログラム ◇座長挨拶:座長 加藤 正史氏(名古屋工業大学 大学院工学研究科 准教授)

◇外部講師による講演
   「高温動作デバイス・システムの課題」
     只野 博 氏(名古屋大学 未来材料・システム研究所
     トヨタ先端パワーエレクトロニクス寄附研究部門 特任教授)

◇メンバーによる講演
   「3C-SiC-MOSFETの開発~高電力密度デバイスを目指して~(仮)」
     渡邉 幸宗氏(セイコーエプソン株式会社 コアデバイス技術開発部)

◇メンバーによる講演
   「エピ成長におけるSiC表面のダイナミクス」
     石田 夕起氏(産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門)

◇総合討議
◇閉会挨拶:今後の進め方
◇交流会

第1回 研究会

日時令和元年7月5日(金)  14:00~18:30
場所科学技術交流財団研究交流センター
プログラム ◇座長挨拶・講演:「3C-SiC結晶品質 ヘテロマテリアルか、ヘテロポリタイプか?」
           座長 加藤 正史氏(名古屋工業大学 大学院工学研究科 准教授)

◇話題提供:「3C-SiCの結晶成長技術と応用」
         長澤 弘幸氏(株式会社CUSIC 代表取締役)

◇招待講演:「ヘテロエピタキシーの基礎と課題」
         佐藤 勝昭氏(東京農工大学リサーチアドバイザー、JST特任フェロー)

◇総合討議

◇次回の予定・今後の進め方:座長

◇交流会