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窒化物半導体次世代半導体実用化情報提供セミナー

~窒化物半導体に関するロードマップから最先端実装技術まで~

 「平成30年度地域中核企業創出・支援事業」は、地域経済を活性化する「地域中核企業」を創出し、その成長を支援することを目指しています。
 当地域では、窒化物半導体に関する多くの研究成果が生み出されつつあり、これらの成果は光の技術革新だけにとどまらず私たちの未来の生活をも革新させるものと期待されています。
 窒化物半導体が開く未来像について、その技術動向を広く中堅・中小企業に皆様に情報共有を図ることにより、今後必要になるであろう事業戦略立案のヒントとしていただくことを目的に、下記のとおりセミナーを開催することといたしました。多くの皆様のご参加をお待ちしております。

開催概要

開催日
平成31年1月17日(木)  【13:30~16:30】
会場愛知県産業労働センター(ウインクあいち)1202会議室
http://www.winc-aichi.jp/access/
内容  今回、窒化物半導体等次世代半導体実用化情報セミナーでは、最初に革新素材「GaN」の創りだす未来社会の姿を、GaNコンソーシアムが作成したGaNロードマップを用いてわかりやすく解説いただきます。また非常に高い特性を有するGaNパワーデバイスの最新の開発状況について報告いただきます。さらにデバイスが持つ能力を最大限引き出すためには、信頼性の高い素材や微細加工技術、集積化に伴った熱対策が求められ、技術課題となっています。それら最先端実装技術及び自動車におけるパワーモジュールの実装技術についても掘り下げていただきます。

13:30~13:40 
◆中部経済産業局 地域経済部 挨拶

13:40~14:10 
◆講演「GaN半導体への期待とロードマップ」
  講師 名古屋大学 未来材料・システム研究所 特任教授 恩田正一氏
         
 窒化ガリウム(GaN)は、青色LEDなど発光デバイスだけでなく、これからの省エネ社会、情報通信社会実現のキーとなるパワーデバイス、高周波デバイス用半導体として大きな期待がされている。GaNコンソーシアムでは、産官学一丸となって結晶成長からデバイスプロセス、実装、制御、システム化までのロードマップを完成させ、開発を推進している。

14:10~14:55 
◆講演「GaNパワーデバイスの社会実装に向けた研究開発の現状」
  講師 福井大学大学院工学研究科 電気・電子工学専攻 教授 葛原正明氏
     
 窒化物半導体を用いた電子デバイスは、高周波向けのパワー増幅器が先行して実用化が進められてきたが、パワースイッチング応用のGaN-HEMTについてもその実用化と回路応用が各所でアナウンスされるようになってきた。本講演では窒化物半導体の特徴について触れた後、実用化が進むGaN-HEMTの特性と課題について述べる。また、次世代デバイスとして期待される縦型GaNトランジスタについても紹介する。

14:55~15:05  休憩

15:05~15:50 
◆講演「WBGパワーモジュール耐熱実装技術」
  講師 大阪大学産業科学研究所 所長・教授 菅沼克昭氏
    
 SiCパワー半導体はいよいよ実用化が始まり、日本が先行すると言われてきたEV/HEVでの量産は米国で始まった。接合技術が一つの実用化の鍵となっているが、望まれるパフォーマンスと耐熱性ではんだの限界は超えており、新たな金属粒子焼結技術が実製品に於いても採用されている。本講演では、焼結接合技術、絶縁基板技術、配線技術などの新実装について開発の現状を紹介する。

15:50~16:30 
◆講演「自動車用パワーモジュールの実装技術」
  講師 株式会社デンソー エレクトロニクス研究部 次世代パワーモジュール研究室長 杉浦和彦氏

  地球温暖化や環境に対する意識の高まりから自動車の電動化(EHV/EV開発)が加速しており、次世代のパワーデバイスとして期待されているSiCやGaNなどのWBGパワー半導体を用いたEV/EHV用のパワーモジュールの開発が急務となっている。これらの次世代パワー半導体を用いたパワーモジュールの実装技術の現状と課題について述べる。
主催等 中部経済産業局の委託を受け科学技術交流財団が開催します。

参加申込

申込方法 ◇以下のURLから案内チラシをダウンロードしてください。
http://www.astf.or.jp/files/pdf/F20181122.pdf

裏面の参加申込書に必要事項を記入の上、FAXまたは、メールにてお申込みください。

FAX:0561-21-1651
E-mail:chuukaku-rm[at]astf.or.jp
※スパム対策のため、E-mailの@を[at]に変更してあります。

※参加受付証は発行しません。お申込みの上、直接会場にお越しください。
 なお、定員超過の場合のみご連絡いたします。
申込期限 平成31年1月7日(月)
参加費 無料
連絡先 科学技術交流財団 業務部 上野・松永 電話:0561‐76‐8329・8327

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