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第９回窒化物半導体応用研究会を開催しました。

研究会

第９回窒化物半導体応用研究会

日時

平成22年10月29日(金) 13:00～17:10 （開場12：30）※終了しました。

場所

名古屋大学　ＩＢ電子情報館　東棟２階　大講義室（名古屋市千種区不老町）

定員

無料（定員200名）

概要

今回は、GaN系バルク結晶成長とGaN系デバイス応用について、その開発状況、応用技術に関してご講演頂く内容となっております。窒化物半導体についてもっと知りたい、窒化物半導体を利用した製品を開発したい、窒化物半導体の応用に積極的に関わりたい、という企業や大学の研究者の方々はこの機会にぜひ、ご参加ください。

申込・詳細

こちらよりPDFをご覧ください。