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戦略的基盤技術高度化支援事業(サポイン事業)(平成25~27年度)

 この事業は、中小ものづくり高度化法に基づく鋳造、鍛造、切削加工、めっき等の22技術分野)の向上につながる研究開発からその試作までの取組を支援することが目的です。特に、複数のものづくり中小企業・小規模事業者、最終製品製造業者や大学、公設試験研究機関等が連携した研究開発であって、この事業の成果を利用した製品の事業化についての売上見込みやスケジュールが明らかとなっている提案を支援するもので、平成25年度に採択された1テーマを実施しました。

総括研究代表者

NUシステム株式会社 取締役 宮地 光彦

研究参加者
研究開発の要約 性能限界を迎えたSiに代わり次世代半導体としてGaN系特にInGaNtが有力視される。InGaNは低温成長(450-550℃)が必須で、従来採用されているMOCVD法では対応できず、MBE法が注目される。このMBE法では、窒素ラジカルソースの高密度化、更には内部エネルギーの高い窒素ラジカル生成が決め手となり、従来のラジカルソースでは対応できない。我々の開発したICP,CCP複合プラズマを更に改良して実用的なInGaN用高密度プラズマソースを実現し、事業化展開を図る。
研究開発の成果

http://www.chubu.meti.go.jp/interface/php/chubu/kikai/sapoin/index.php/program/detail/6966                           (中部経済産業局 サポインマッチナビ中部HPより)