【育成試験】令和3年度実施課題及び過去の実施テーマ一覧
- 2021年5月31日
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更新日：2022年3月26日
（１）令和3年度「育成試験」の実施課題
非セッコウ型を用いた鋳込み成形による超高純度アルミナ発光管の製造
委託先：ヤマキ電器株式会社
高演色・省エネルギー光源として期待されているセラミックメタルハライドランプは透光性アルミナ発光管に金属ハロゲン化合物を封入して製造されている。現状の透光性アルミナ発光管はセッコウ型を用いた鋳込み成形法により製造されているため、セッコウ型からの不純物の溶出がアルミナ発光管の高純度化の妨げとなり、十分に高演色・省エネルギー性能を発揮することが出来なかった。本課題では当社が有する鋳込み成形技術に、産総研保有のセラミック複合多孔質体の製造技術を鋳込み型に転用することで従来の鋳込み手法では作製が困難であった不純物（カルシウム成分）が10ppm以下の超高純度アルミナ発光管の開発を目的としている。
電子ビーム励起プラズマ気相堆積法による次世代電子デバイス創製のための立方晶窒化ホウ素膜の研究開発
委託先：株式会社片桐エンジニアリング
立方晶窒化ホウ素（cBN）はダイヤモンドに次ぐ硬さと熱伝導率をもちながら、熱的・化学的安定性、酸化温度はダイヤモンドを凌ぐ特性を持つ。またダイヤモンドと同様に半導体特性を有しそのバンドギャップが広く、かつダイヤモンドで課題となっているp/n接合形成が容易なため高絶縁耐圧を要する鉄道や医療用の超高圧機器などのインバータ素子として注目されている。一方で結晶成長技術が未成熟という課題が存在する。そこで独自技術である電子ビーム励起プラズマを用いたプラズマ気相堆積法により、Si基板との界面制御や成長モードを制御して、フリースタンディングcBN単結晶基板形成法と半導体特性の評価およびin-situドーピング技術の検討を行う。
（２）過去の実施テーマ一覧
令和2年度
令和元年度
平成30年度
平成29年度
平成28年度
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